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Si-Si貼り合わせウェハー

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SOIとSi-Siダイレクト・ウェハー・ボンディング製造

半導体デバイス製造会社には、Si-Si貼り合わせウェハーは、これまでパワー・デバイスやピン・ダイオードなどのアプリケーションに使われてきた厚エピタキシアル層や逆エピと比較すると、低価格な代替品となります。

我々のアドバンス・ウェハー・ボンディング・テクノロジーにより、1つ以上ステップのあるシリコン基板の製造において、ドーピング・レベルやドーパント・タイプが変わります。隣接している層の範囲は10,000オームcmから0.001オームcm、Nタイプ、あるいはPタイプで、従来のエピタキシの持つオート・ドーピングの問題はおきません。これらの層は欠陥濃度がとても低く、通常のバルク単結晶シリコンと同じように安定していて、ウェハーのひずみも低くなっています。

 

我々のテクノロジーによるSi-Si DWBの厚さのコントロールは安定したもので、ピン・ダイオードあるいは高電圧IGBT製品などのアプリケーションに適しています。これらの製品はしっかりとドープ処理された基板上に軽くドープ処理された厚エピタキシアル層、あるいはかなりの高品質のエピタキシアル層を要求します。高価な放射線処理や従来のSOIテクノロジー(層の厚さは考慮しないで+/- 0.5um あるいは +/- 1.0um)を使うことなく、迅速なレスポンスとスイッチングがえられます。このことにより、従来のエピタキシが厚い層に行うよりも、上層の厚さのコントロールがしやすくなります。

ベーシックなピン・ダイオード基板PT-IGBT基板  

マイクロマシンのディベロッパーには、Si-Si貼り付けウェハーは単結晶層が異なった面方位やドーピング・レベルに達成するオプションを提供し、ユニークな構造を可能にします。

特徴

  • 低バルク結晶シリコン欠陥濃度 vs 従来のエピ・レベル
  • 接触領域の低欠陥濃度
  • 結晶面方位と成長の可能性のバリエーション
  • 層の均一性が優れている
  • 低電流漏れとシャープ・ジャンクション

アプリケーション

  • 厚層エピタキシアル・ディポジションのかわり
  • ピン・ダイオード
  • RFアンテナ・スイッチ
  • PT IGBT
  • フォト・ディテクター
  • X線ディテクター
  • IRセンサー
  • パワー・デバイス