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IceMosテクノロジーはお客様に長年にわたるディープ・シリコン・トレンチ・エッチ＆リフィルの経験とバルク・シリコンとSOI基板の専門知識による利点を提供いたします。そして、SOIを誘電体分離回路のプラットフォームとして使おうとされているお客様に、IceMosがユニークなワン・ストップ・ソリューションを提供いたします。我々の高品質SOIウェハーとディープ・トレンチ・エッチ＆リフィルの能力を組み合わせ、分離タブを形成するのに要求される長時間、高価格なプロセスは弊社で行い、お客様のフローではアクティブなエリアのプロセスを行うだけの状態で製品を提供させていただきます。さらに、プロセス中に低温度バジェット・シンカー拡散としてSOIインターフェースとサイド・ウォール・ドーピングのとなりのインプラントされた埋め込み層などの特徴を加えることができるため、今まで考えつかなかったような可能性が広がります。これらのテクノロジーは我々の能力のコアの一部なので、お客様は分離ではなくアクティブ・デバイスに集中することができます。（この製品は以前BCO基板と呼ばれていました。）
ハイ・パフォーマンス・アナログICデザインの手段として誘電体分離をご存知でないお客様には、IceMosテクノロジーのSOIプラス・トレンチ＋リフィルパッケージを使うことにより、ハイ・パフォーマンスだけでなく、余分なスペースのかかる分離拡散の変わりにトレンチを使うことによりダイ・シュリンクが可能となり、価格をおさえることができます。
特徴
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従来の誘電体分離（DI）あるいはジャンクション分離と比較し、大幅なダイ・シュリンク
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バルク品質のトップ・シリコン層
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デバイス間の完全な分離
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バルクと比較し基板の静電容量が低い
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SOI、トレンチ、そしてリフィルのパラメーターの使用がフレキシブル
アプリケーション
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光電池と光電子工学コンポーネント
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ソリッド・ステート・リレイ
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テレコミュニケーション向け高電圧アナログ回路
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高温度電子機器
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高パフォーマンス・バイポーラ・プロセス
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スマート・パワーIC
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集積センサー
オプション
皆様の誘電体分離ICのコンセプトを１ステップ上のものにし、フルDI
IC製造サービスを提供させていただきます。SOIプロセスや誘電体分解ウェハーの経験を持つ我々のファンドリー・パートナーを使うことにより、一部のみプロセス済みのDI基板のかわりに、テスト済みのダイを提供し、皆様のプロジェクト全体をサポートいたします。
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