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半導体デバイス製造会社には、Si-Si貼り合わせウェハーは、これまでパワー・デバイスやピン・ダイオードなどのアプリケーションに使われてきた厚エピタキシアル層や逆エピと比較すると、低価格な代替品となります。
我々のアドバンス・ウェハー・ボンディング・テクノロジーにより、１つ以上ステップのあるシリコン基板の製造において、ドーピング・レベルやドーパント・タイプが変わります。隣接している層の範囲は10,000オームcmから0.001オームcm、Nタイプ、あるいはPタイプで、従来のエピタキシの持つオート・ドーピングの問題はおきません。これらの層は欠陥濃度がとても低く、通常のバルク単結晶シリコンと同じように安定していて、ウェハーのひずみも低くなっています。
我々のテクノロジーによるSi-Si
DWBの厚さのコントロールは安定したもので、ピン・ダイオードあるいは高電圧IGBT製品などのアプリケーションに適しています。これらの製品はしっかりとドープ処理された基板上に軽くドープ処理された厚エピタキシアル層、あるいはかなりの高品質のエピタキシアル層を要求します。高価な放射線処理や従来のSOIテクノロジー（層の厚さは考慮しないで+/-
0.5um あるいは +/-
1.0um）を使うことなく、迅速なレスポンスとスイッチングがえられます。このことにより、従来のエピタキシが厚い層に行うよりも、上層の厚さのコントロールがしやすくなります。
 ベーシックなピン・ダイオード基板PT-IGBT基板
マイクロマシンのディベロッパーには、Si-Si貼り付けウェハーは単結晶層が異なった面方位やドーピング・レベルに達成するオプションを提供し、ユニークな構造を可能にします。
特徴
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低バルク結晶シリコン欠陥濃度 vs 従来のエピ・レベル
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接触領域の低欠陥濃度
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結晶面方位と成長の可能性のバリエーション
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層の均一性が優れている
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低電流漏れとシャープ・ジャンクション
アプリケーション
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厚層エピタキシアル・ディポジションのかわり
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ピン・ダイオード
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RFアンテナ・スイッチ
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PT IGBT
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フォト・ディテクター
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X線ディテクター
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IRセンサー
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パワー・デバイス
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